סטרוקטור הייבט זיך אויף דער פּראָצעס מדרגה

אין די נאַנאָסקאַלע, אפילו מינוט ענדערונגען אין די מאַנופאַקטורינג פּראָצעס קענען פירן צו באַטייַטיק דיפעראַנסיז אין פאָרשטעלונג. די גרעב פון די סיליציום שאָל, די יונאַפאָרמאַטי פון די פּוסט האַרץ און די קוילעלדיק פּאַרטאַקאַל גרייס פאַרשפּרייטונג זענען אַלע גלייַך אַפעקטאַד דורך די סינטעז אופֿן.

אויב די שאָל איז אויך דין, די פּעלאַץ קען ייַנבראָך אָדער פּלאַצן אונטער דרוק. אויב די שאָל איז צו דיק, די אַדוואַנטידזשיז פון די פּוסט סטרוקטור - אַזאַ ווי בייגיקייַט און דרוק קושאַנינג - זענען רידוסט. א קערפאַלי קאַנטראָולד מאַנופאַקטורינג פּראָצעס אַטשיווז די אָפּטימאַל וואָג, פּראַדוסינג פּעלאַץ וואָס זענען שטאַרק און פלעקסאַבאַל גענוג פֿאַר ריפּיטיד נוצן.

פּערסאַוויראַנס איז מער וויכטיק ווי צו גיין צו עקסטרעם.

הויך פאָרשטעלונג אויף פּאַפּיר איז ניט שטענדיק איבערזעצן אין פאַקטיש רעזולטאַטן. א פּראָסט פּראָבלעם מיט נעבעך פּראָדוקציע קאָנטראָל איז סתירה פּראָדוקט קוואַליטעט. ווען פּאַרטאַקאַל גרייס און סטרוקטור בייַטן באטייטיק צווישן פאַרשידענע באַטשאַז, פּראָדוקט פאָרשטעלונג ווערט אַנפּרידיקטאַבאַל.

סטאַביל פּראָדוקציע טנאָים העלפֿן צו ענשור קאָנסיסטענט פאָרשטעלונג אין יעדער פּאַרטאַקאַל. די קאָנסיסטענסי רעזולטאטן אין מער פאַרלאָזלעך עלעקטריקאַל קאָנטאַקט, סמודער רעספּאָנסעס און ווייניקערע שוואַך פונקטן, אַזוי יקסטענדינג מאַטעריאַל לעבן. אין אַפּלאַקיישאַנז אַזאַ ווי ליטהיום-יאָן באַטעריז, קאָנסיסטענסי איז אָפט פּונקט ווי וויכטיק ווי אָפּטימאַל פאָרשטעלונג.

די ראָלע פון קאָמפּאָסיטע פּראַסעסינג

ריין נאַנאָ-פּוסט סיליציום האט שוין דעמאַנסטרייטיד באַטייַטיק אַדוואַנטידזשיז, אָבער זייַן פאָרשטעלונג קענען זיין ווייַטער ענכאַנסט דורך קאָמפּאָסיטע פּראַסעסינג - ספּעציעל סיליציום-טשאַד קאַמפּאַזאַץ. די וועג סיליציום און טשאַד זענען קאַמביינד גלייַך אַפעקץ קאַנדאַקטיוואַטי, יקספּאַנשאַן קאָנטראָל און קוילעלדיק געווער.

קערפאַלי דיזיינד סיליציום-טשאַד קאַמפּאַזאַץ קענען פֿאַרבעסערן אָפּצאָל אַריבערפירן, רעדוצירן דרוק בעשאַס סייקלינג און באַשיצן סיליציום סטראַקטשערז פון דערנידעריקונג. אָבער, דאָס איז בלויז מעגלעך אויב די מאַנופאַקטורינג פּראָצעס אַלאַוז מונדיר קאָוטינג, שטאַרק באַנדינג און קאַנטראָולאַבאַל פּאָראָסיטי.

יקספּאַנשאַן קאָנטראָל און לאַנג-טערמין פעסטקייַט

איינער פון די ביגאַסט אַדוואַנטידזשיז פון נאַנאָ-פּוסט סיליציום איז זיין נידעריקער יקספּאַנשאַן דרוק קאַמפּערד מיט האַרט סיליציום. אָבער, דעם מייַלע פארשווינדט אויב די מאַנופאַקטורינג פּראָצעס איז נישט אָפּטימיזעד. שוואַך געשאפן פּוסט סטראַקטשערז קענען נאָך ויסשטעלונג אַניוואַן יקספּאַנשאַן, יווענטשאַוואַלי לידינג צו קראַקינג אָדער מאַטעריאַל אָנווער איבער צייַט.

אַוואַנסירטע פּראַסעסינג טעקניקס העלפֿן האַלטן סטראַקטשעראַל אָרנטלעכקייַט בעשאַס ריפּיטיד סייקאַלז, דערמיט רידוסינג די קאָואַפישאַנט פון יקספּאַנשאַן און פאַרברייטערן די ציקל לעבן - ביידע סיבות וואָס זענען קריטיש פֿאַר געשעפט ווייאַבילאַטי.

פאָרשטעלונג איז געבויט, ניט נאָר דיזיינד

מענטשן לייכט פאָקוס אויף דער באַגריף פון מאַטעריאַל פּלאַן, אָבער פאָרשטעלונג לעסאָף דעפּענדס אויף די פּראָדוקציע שורה. די זעלבע נאַנאָ-פּוסט סיליציום פּלאַן קענען געבן וואַסטלי פאַרשידענע רעזולטאַטן דיפּענדינג אויף די פּינטלעכקייַט פון די מאַנופאַקטורינג, פֿאַרזאַמלונג און פּראַסעסינג טעקניקס.

הויך פּראָודאַקטיוויטי, לאַנג ציקל לעבן און קאָס-יפעקטיוונאַס זענען נישט אַקסאַדענטאַל - זיי זענען דער רעזולטאַט פון קאַנטראָולד פּראַסעסאַז און פּראַקטיש ינזשעניעריע דיסיזשאַנז.

פּראַקטיש מעטהאָדס פֿאַר ניצן נאַנאָ-פּוסט סיליציום מאַטעריאַלס

Huazhong Gas ניצט נאַנאָ-פּוסט סיליציום ווי זייַן האַרץ רוי מאַטעריאַל און ימפּלויז אַ פּראַפּרייאַטערי סיליציום-טשאַד קאַמפּאַזאַט פּראָצעס צו פּראָדוצירן נאַנאָ-סיליציום פּודער. דעם אופֿן קאַמביינז אַדוואַנידזשיז אַזאַ ווי הויך קורס פיייקייַט, נידעריק יקספּאַנשאַן, לאַנג ציקל לעבן, און הויך פּרייַז-יפעקטיוונאַס, מאכן עס פּאַסיק ניט בלויז פֿאַר לאַבאָראַטאָריע ינווייראַנמאַנץ אָבער אויך פֿאַר פאדערן פאַקטיש-וועלט אַפּלאַקיישאַנז.

Huazhong Gas פאָוקיסיז אויף מאַטעריאַל פּלאַן און מאַנופאַקטורינג קוואַליטעט, שטיצן קאַסטאַמערז וואָס זוכן פאַרלאָזלעך, סקאַלאַבלע און לאַנג-טערמין הויך-פאָרשטעלונג נאַנאָ-סיליציום סאַלושאַנז.