Tehnologiýany çaltlyk ösdürmek bilen, täze öndürijilik güýçlerini ösdürmek we ýokary hilli ýokary hilli ösüşi ösdürmek "milli ösüş üçin gönükdirilýär. Çipler, paneller, paneller, paneller, paneller, paneller, panelnik, silka ýaly meýdanlary anyklamak esasy däp-dessurly rol oýnaýar. Häzirki wagtda dünýäniň birnäçe ýurdy, dünýäniň dürli ýurtlary elektron görnüşli sileg gazy garaşsyzlygy özbaşdak öndürip biler.

HUZHOGHOG GIARY pudagyň ösen paýnamalaryny ulanýar elektroniki süpni gaz gazyny döredýär. Bu proses diňe arassalanlygy we önümçilik mümkinçiligini saklaýar, eýsem kompaniýanyň ýaşyl we durnukly ösüşe ýerine ýetirýändigini, şeýle hem daşky gurşawa ýetirýär.

Dastabawonçylyk prosesi, aralyk okdatlatmagyň döwletiň bir wagtyň özünde oksiding ýurtlary bilen aýlanýan iki ýa-da has köp önüm öndürýän iki ýa-da has köp dürli önüm öndürýän ýa-da azalmagy azaltmak we ýarylan iki ýa-da has köp öndürijilig öndürýän bolmagy bilen himiki senagat reaksiýasyna degişlidir. Chlosilonlaryň gapyrgasy, sile öndürmek üçin hlosozilanyň gapyrgalarynyň manysydyr.

Ilki bilen "Silikon poroşok, wirodorenlik" wrimoron we "ýasaýjy Tetrafie":
Si + 2H2 + 3Sicl4 → 4sihcl3.

NEXT, Trihlorosilasy Dichlosion Tetrikon Tetrikon Tetrikon Tetrikl-a esaslandyrmak üçin gapma-garşylykda:
2sihcl3 → si sv2cl2 + ştl4.

Soňra Dichlorosilana, triklorosilany we mononosilini emele getirmek üçin has giňişleýin maglumata geçiň:
2sih2cl2 → sh3cl + shcl3.

Ahyrynda, sogan we dikloorialladurnal öndürmek üçin manysyzlygy başdan geçirenok,
2sih3cl → sih2cl2 + sih4.

HyghongN Ga bu prosesleri bu amallary ýapyk-ýer öndürmek ulgamyny döretmek üçin. Bu galyndylary diňe galyndylary azalmaýar, ýöne çig mal bahalydygyny, önümçilik çykdajylaryny we daşky gurşaw täsirini netijeli çäklendirýär.

Geljekde Huazhong Ga reaksiýa parametrlerini optimizirlemek we üpjün etmek ýokary hilli elektron-dereje sile gaz Senagat ösüşiniň ösmegine we ýokary hilli ösüşe goşant goşmak üçin!