2। ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପ ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ଶୁଦ୍ଧତା କାହିଁକି ଆବଶ୍ୟକ କରେ |

ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ଶୁଦ୍ଧତାର ଆବଶ୍ୟକତା ବୁ To ିବାକୁ, ଆଧୁନିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନର ମାପକୁ ବୁ understand ିବାକୁ ପଡିବ | ଆଜିର ସବୁଠାରୁ ଉନ୍ନତ ଚିପ୍ସ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର ବ feature ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଯାହା କେବଳ କିଛି ନାନୋମିଟର ଚଉଡା | ଏହାକୁ ଦୃଷ୍ଟିକୋଣରେ ରଖିବା ପାଇଁ, ମାନବ କେଶର ଗୋଟିଏ ଖଣ୍ଡ ପ୍ରାୟ 80,000 ରୁ 100,000 ନାନୋମିଟର ମୋଟା |

ଯେତେବେଳେ ଆପଣ ପରମାଣୁ ସ୍ତରରେ ସଂରଚନା ନିର୍ମାଣ କରୁଛନ୍ତି, ଅମ୍ଳଜାନର ଗୋଟିଏ ଅଣୁ କିମ୍ବା ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପିକ୍ ବୁନ୍ଦା ପାଣି ବିପର୍ଯ୍ୟସ୍ତ ହୋଇପାରେ |

• ଅକ୍ସିଡେସନ୍: ଅବାଞ୍ଛିତ ଅମ୍ଳଜାନ ସୂକ୍ଷ୍ମ ସିଲିକନ୍ ଗଠନ ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରିପାରିବ, ସେମାନଙ୍କର ବ electrical ଦ୍ୟୁତିକ ଗୁଣ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରିପାରିବ |

• ବିଶେଷ ପ୍ରଦୂଷଣ: ଏପରିକି ଗୋଟିଏ ବିଚ୍ୟୁତ କଣିକା ଏକ ନାନୋସ୍କାଲ୍ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରକୁ ସର୍ଟ ସର୍କିଟ କରିପାରେ, ଯାହା ଏକ ମାଇକ୍ରୋଚିପ୍ ର ଏକ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଅଂଶକୁ ଅଦରକାରୀ କରିପାରେ |

• ଅମଳ ହ୍ରାସ: ସପ୍ତାହରେ ହଜାରେ ୱାଫର୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣରେ, ଗ୍ୟାସ୍ ପ୍ରଦୂଷଣ ହେତୁ ଅମଳର ସାମାନ୍ୟ ହ୍ରାସ ହଜିଯାଇଥିବା ରାଜସ୍ୱରେ ଦଶ ଲକ୍ଷ କୋଟି ଡଲାରକୁ ଅନୁବାଦ କରିପାରେ |

ତେଣୁ, ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ତରଳ ଆର୍ଗନ୍ | କ୍ଲିନରୁମ୍ ପରିବେଶରେ ଉପସ୍ଥାପିତ ହେବା ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ କ any ଣସି ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ପ୍ରଦୂଷକରୁ ବଞ୍ଚିତ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ |

ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଲିକ୍ୱିଡ୍ ଆର୍ଗନ୍ ର ମୂଳ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ |

କଞ୍ଚାମାଲରୁ ଏକ ସମାପ୍ତ ମାଇକ୍ରୋପ୍ରୋସେସର୍ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଏକ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଯାତ୍ରା ଶହ ଶହ ଜଟିଳ ପଦକ୍ଷେପ ନେଇଥାଏ | ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ଶୁଦ୍ଧତା ତରଳ ଆର୍ଗନ୍ ଏହି ଯାତ୍ରାର ଅନେକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ଗଭୀର ଭାବରେ ସଂଯୁକ୍ତ |

3.1। ସିଲିକନ୍ କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ଟାଣିବା (Czochralski ପ୍ରକ୍ରିୟା)

ଯେକ any ଣସି ମାଇକ୍ରୋଚିପ୍ ର ମୂଳଦୁଆ ହେଉଛି ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ | Czochralski (CZ) ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହାର କରି ବ grown ଼ାଯାଇଥିବା ବୃହତ, ଏକକ-କ୍ରିଷ୍ଟାଲ ସିଲିକନ୍ ଇନଗୋଟ୍ ଗୁଡିକରୁ ଏହି ୱାଫର୍ ଗୁଡିକ କଟାଯାଇଥାଏ | ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ଅତ୍ୟଧିକ ଶୁଦ୍ଧ ପଲିକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ 1,400 ° C ରୁ ଅଧିକ ତାପମାତ୍ରାରେ କ୍ରୁଶରେ ଏକ କ୍ୱାର୍ଟଜରେ ତରଳିଯାଏ | ଏକ ମଞ୍ଜି ସ୍ଫଟିକ୍ ଉପସ୍ଥାପିତ ହୁଏ ଏବଂ ଧୀରେ ଧୀରେ ଉପରକୁ ଟାଣି ହୋଇଯାଏ, ତରଳରୁ ଏକ ସିଲିଣ୍ଡ୍ରିକ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ଆଙ୍କିଥାଏ |

ଏହି ଅତ୍ୟଧିକ ତାପଜ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ, ତରଳାଯାଇଥିବା ସିଲିକନ୍ ଅତ୍ୟଧିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ | ଯଦି ଏହା ଅମ୍ଳଜାନ କିମ୍ବା ନାଇଟ୍ରୋଜେନ ସହିତ ସଂସ୍ପର୍ଶରେ ଆସେ, ତେବେ ଏହା ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ କିମ୍ବା ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ସୃଷ୍ଟି କରିବ, ଯାହା ଶୁଦ୍ଧ ସ୍ଫଟିକ୍ ସଂରଚନାକୁ ନଷ୍ଟ କରିଦେବ | ଏଠାରେ, ଆର୍ଗନ୍ ଚରମ ରକ୍ଷକ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରେ | ଚୁଲାକୁ କ୍ରମାଗତ ଭାବରେ ବାଷ୍ପୀଭୂତ କରାଯାଏ | ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ଶୁଦ୍ଧତା ତରଳ ଆର୍ଗନ୍ | ଏକ ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ନିଷ୍କ୍ରିୟ ପରିବେଶ ସୃଷ୍ଟି କରିବାକୁ | କାରଣ ଆର୍ଗନ୍ ବାୟୁଠାରୁ ଅଧିକ ଭାରୀ, ଏହା ତରଳ ସିଲିକନ୍ ଉପରେ ଏକ ପ୍ରତିରକ୍ଷା କମ୍ବଳ ସୃଷ୍ଟି କରେ, ଫଳସ୍ୱରୂପ ଇନଗୋଟ୍ ଗଠନମୂଳକ ଭାବରେ ସିଦ୍ଧ ଏବଂ ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପିକ୍ ତ୍ରୁଟିମୁକ୍ତ ବୋଲି ନିଶ୍ଚିତ କରେ |

3.2। ପ୍ଲାଜ୍ମା ଏଚିଂ ଏବଂ ଡିପୋଜିସନ |

ଆଧୁନିକ ଚିପ୍ସ 3D ସ୍ତରରେ ନିର୍ମିତ | ଏଥିରେ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ କିମ୍ବା ଇନସୁଲେଟିଂ ସାମଗ୍ରୀର ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପିକ୍ ସ୍ତରଗୁଡିକ ୱେଫର୍ ଉପରେ ଜମା କରିବା ଏବଂ ପରେ ସର୍କିଟ୍ ସୃଷ୍ଟି କରିବା ପାଇଁ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଅଂଶଗୁଡ଼ିକୁ ଦୂରେଇ ରଖିବା ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |

• Sputtering (ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ଜମା - PVD): ଆର୍ଗନ୍ ହେଉଛି ପ୍ରାଥମିକ ଗ୍ୟାସ୍ ଯାହା ସ୍ପଟର୍ଙ୍ଗରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏକ ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ଚାମ୍ବରରେ, ଆର୍ଗନ୍ ଗ୍ୟାସ୍ ଏକ ପ୍ଲାଜାରେ ଆୟନାଇଜ୍ ହୁଏ | ଏହି ସକରାତ୍ମକ ଚାର୍ଜ ହୋଇଥିବା ଆର୍ଗନ୍ ଆୟନଗୁଡିକ ଏକ ଲକ୍ଷ୍ୟ ପଦାର୍ଥରେ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ ହୁଏ (ଯେପରି ତମ୍ବା କିମ୍ବା ଟାଇଟାନିୟମ୍) | ଭାରୀ ଆର୍ଗନ୍ ଆୟନର ଘୋର ଗତିଜ ଶକ୍ତି ପରମାଣୁକୁ ଟାର୍ଗେଟରୁ ବାଡେଇଥାଏ, ଯାହା ପରେ ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଉପରେ ସମାନ ଭାବରେ ଜମା ହୋଇଥାଏ | ଆର୍ଗନ୍ ମନୋନୀତ ହୋଇଛି କାରଣ ଏହାର ପରମାଣୁ ମାସ ଧାତୁ ପରମାଣୁକୁ ସେମାନଙ୍କ ସହିତ ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ନକରି ଦକ୍ଷତାର ସହିତ ବିସର୍ଜନ କରିବା ପାଇଁ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଉପଯୁକ୍ତ |

• ଗଭୀର ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଆଇନ୍ ଏଚିଂ (DRIE): ଯେତେବେଳେ ନିର୍ମାତାମାନେ ସିଲିକନରେ ଗଭୀର, ଅତ୍ୟଧିକ ସଠିକ୍ ଖାଲ ଖୋଳିବା ଆବଶ୍ୟକ କରନ୍ତି - ମେମୋରୀ ଚିପ୍ସ ଏବଂ ଉନ୍ନତ ପ୍ୟାକେଜିଂ ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ - ଆର୍ଗନ୍ ପ୍ରାୟତ re ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଶୀଳ ଗ୍ୟାସ୍ ସହିତ ମିଶ୍ରିତ ହୋଇ ପ୍ଲାଜମାକୁ ସ୍ଥିର କରିଥାଏ ଏବଂ ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠକୁ ଶାରୀରିକ ଭାବରେ ବିସ୍ଫୋରଣ କରିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରିଥାଏ |

3.3। DUV ଏବଂ EUV ଲିଥୋଗ୍ରାଫି (ଏକ୍ସାଇଜର ଲେଜର)

ଲିଫୋଗ୍ରାଫି ହେଉଛି ୱେଫର୍ ଉପରେ ସର୍କିଟ୍ s ାଞ୍ଚା ଛାପିବା ପାଇଁ ଆଲୋକ ବ୍ୟବହାର କରିବାର ପ୍ରକ୍ରିୟା | ଯେହେତୁ ସର୍କିଟ୍ ଗୁଡିକ ସଙ୍କୁଚିତ ହୋଇଛି, ଉତ୍ପାଦକମାନଙ୍କୁ ଅଧିକ କ୍ଷୁଦ୍ର ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ ସହିତ ଆଲୋକ ବ୍ୟବହାର କରିବାକୁ ପଡିବ | ଏହା ହେଉଛି ତରଳ ଆର୍ଗନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ | ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଫିଜିକ୍ସ ସହିତ ବିଚ୍ଛେଦ |

ଗଭୀର ଅଲଟ୍ରାଭାଇଓଲେଟ୍ (DUV) ଲିଥୋଗ୍ରାଫି ଆର୍ଏଫ୍ (ଆର୍ଗନ୍ ଫ୍ଲୋରାଇଡ୍) ଏକ୍ସାଇଜର ଲେଜର ଉପରେ ଅଧିକ ନିର୍ଭର କରେ | ଏହି ଲେଜରଗୁଡ଼ିକ 193 ନାନୋମିଟରର ତରଙ୍ଗଦ eng ର୍ଘ୍ୟ ସହିତ ଉଚ୍ଚ ଫୋକସ୍ ଆଲୋକ ସୃଷ୍ଟି କରିବା ପାଇଁ ଆର୍ଗନ୍, ଫ୍ଲୋରାଇନ୍, ଏବଂ ନିନ୍ ଗ୍ୟାସର ଏକ ସଠିକ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ମିଶ୍ରଣ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତି | ଏହି ଲେଜର ଗୁହାଳରେ ବ୍ୟବହୃତ ଆର୍ଗୋନର ଶୁଦ୍ଧତା ଅବିଶ୍ୱସନୀୟ ଭାବରେ କଠିନ ଅଟେ | ଯେକ Any ଣସି ଅପରିଷ୍କାରତା ଲେଜର ଅପ୍ଟିକ୍ସକୁ ଖରାପ କରିପାରେ, ଆଲୋକର ତୀବ୍ରତାକୁ ହ୍ରାସ କରିପାରେ ଏବଂ ଲିଥୋଗ୍ରାଫି ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ଅସ୍ପଷ୍ଟ କିମ୍ବା ତ୍ରୁଟିପୂର୍ଣ୍ଣ ସର୍କିଟ୍ ପ୍ରିଣ୍ଟ କରିପାରେ |

ନୂତନ ଚରମ ଅଲଟ୍ରାଭାଇଓଲେଟ୍ (EUV) ଲିଥୋଗ୍ରାଫି ସିଷ୍ଟମରେ ମଧ୍ୟ ଆର୍ଗନ୍ ସୂକ୍ଷ୍ମ, ଅତ୍ୟଧିକ ଜଟିଳ ଦର୍ପଣ ପ୍ରଣାଳୀକୁ ମଲିକୁଲାର ପ୍ରଦୂଷଣରୁ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ମୁକ୍ତ ରଖିବା ପାଇଁ ଏକ ଶୁଦ୍ଧ ଗ୍ୟାସ୍ ଭାବରେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ |

3.4। ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ଏବଂ ଥର୍ମାଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ |

ଏହାର ବ electrical ଦୁତିକ ଗୁଣ ବଦଳାଇବା ପାଇଁ ଡୋପାଣ୍ଟଗୁଡିକ (ବୋରନ୍ କିମ୍ବା ଫସଫରସ୍ ପରି) ସିଲିକନରେ ପ୍ରତିରୋପଣ କରାଯିବା ପରେ, ସ୍ଫଟିକ୍ ଲାଟାଇସର କ୍ଷୟକ୍ଷତିର ମରାମତି ଏବଂ ଡୋପାଣ୍ଟଗୁଡିକୁ ସକ୍ରିୟ କରିବା ପାଇଁ ୱେଫରକୁ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ଗରମ କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ | ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟା, ଆନ୍ନାଲିଙ୍ଗ୍ ଭାବରେ ଜଣାଶୁଣା, ୱେଫର୍ ପୃଷ୍ଠକୁ ଅକ୍ସିଡାଇଜ୍ ନହେବା ପାଇଁ ଏକ କଠୋର ନିୟନ୍ତ୍ରିତ, ଅମ୍ଳଜାନମୁକ୍ତ ପରିବେଶରେ ଘଟିବା ଆବଶ୍ୟକ | ଅଲ୍ଟ୍ରା-ଶୁଦ୍ଧ ଆର୍ଗୋନ୍ର କ୍ରମାଗତ ପ୍ରବାହ ଏହି ସୁରକ୍ଷିତ ତାପଜ ପରିବେଶ ଯୋଗାଇଥାଏ |

4। ଲିକ୍ୱିଡ୍ ଆର୍ଗନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ: ଟେକ୍ ର ପରବର୍ତ୍ତୀ ପି Generation ଼ି ଶକ୍ତି |

ଶବ୍ଦ ତରଳ ଆର୍ଗନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ | ଉଚ୍ଚ-ବ tech ଷୟିକ ଉପକରଣ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟାଗୁଡ଼ିକର ଇକୋସିଷ୍ଟମକୁ ବ୍ୟାପକ ଭାବରେ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ ଯାହା ଏହି କ୍ରାୟୋଜେନିକ୍ ପଦାର୍ଥ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ | ଯେହେତୁ ଆମେ ଆର୍ଟିଫିସିଆଲ୍ ଇଣ୍ଟେଲିଜେନ୍ସ (AI), ଇଣ୍ଟରନେଟ୍ ଅଫ୍ ଥିଙ୍ଗସ୍ (IoT) ଏବଂ ସ୍ୱୟଂଶାସିତ ଯାନ ଦ୍ୱାରା ପ୍ରାଧାନ୍ୟ ପ୍ରାପ୍ତ ଏକ ଯୁଗକୁ ଯାଉଛୁ, ଅଧିକ ଶକ୍ତିଶାଳୀ, ଶକ୍ତି-ଦକ୍ଷ ଚିପ୍ସର ଚାହିଦା ଆକାଶଛୁଆଁ ହେଉଛି |

1. AI ତ୍ୱରକ ଏବଂ GPU ଗୁଡିକ: ବୃହତ ଭାଷା ମଡେଲ ପରି AI ମଡେଲଗୁଡିକୁ ପ୍ରଶିକ୍ଷଣ ଦେବା ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ହେଉଥିବା ବୃହତ ଗ୍ରାଫିକାଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ୟୁନିଟ୍ (ଜିପିୟୁ) ଅବିଶ୍ୱସନୀୟ ଭାବରେ ବଡ଼, ତ୍ରୁଟିମୁକ୍ତ ସିଲିକନ୍ ମରିବା ଆବଶ୍ୟକ କରେ | ମରିବା ଯେତେ ବଡ, ଗୋଟିଏ ଅପରିଷ୍କାରତା ସମଗ୍ର ଚିପକୁ ନଷ୍ଟ କରିପାରେ | UHP ଆର୍ଗନ୍ ଦ୍ୱାରା ପ୍ରଦତ୍ତ ନିଖୁଣ ପରିବେଶ ଏଠାରେ ବୁ negoti ାମଣା ନୁହେଁ |

2. କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ ଗଣନା: ଅନୁସନ୍ଧାନକାରୀମାନେ କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ କମ୍ପ୍ୟୁଟର ବିକାଶ କରୁଥିବାବେଳେ, କ୍ୟୁବିଟ୍ ସୃଷ୍ଟି କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟିଙ୍ଗ୍ ସାମଗ୍ରୀଗୁଡ଼ିକ ଶୂନ୍ୟ ପ୍ରଦୂଷଣ ସହିତ ଉତ୍ପାଦନ ପରିବେଶ ଆବଶ୍ୟକ କରେ | ଏହି ପରବର୍ତ୍ତୀ ପି generation ଼ିର ପ୍ରୋସେସରଗୁଡ଼ିକର କ୍ରାୟୋଜେନିକ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତି ଏବଂ ତିଆରିରେ ଆର୍ଗନ୍ ଶୁଦ୍ଧତା ଏକାନ୍ତ ଆବଶ୍ୟକ |

3. ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ: ବ Electric ଦ୍ୟୁତିକ ଯାନଗୁଡ଼ିକ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (ସିସି) ଏବଂ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) ପାୱାର ଚିପ୍ସ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରନ୍ତି | ଏହି ଯ ound ଗିକ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକ ବୃଦ୍ଧି କରିବା ପାଇଁ ଷ୍ଟାଣ୍ଡାର୍ଡ ସିଲିକନ୍ ଠାରୁ ଅଧିକ ତାପମାତ୍ରା ଆବଶ୍ୟକ ହୁଏ, ଯାହା ଆର୍ଗୋନ୍ର ନିଷ୍କ୍ରିୟ ield ାଲା ଗୁଣକୁ ଅଧିକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ କରିଥାଏ |

5। ଯୋଗାଣ ଶୃଙ୍ଖଳା ଏବଂ ସୋର୍ସିଂର ସମାଲୋଚନା |

ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ଶୁଦ୍ଧତା ତରଳ ଆର୍ଗନ୍ ଉତ୍ପାଦନ ଆଧୁନିକ ରାସାୟନିକ ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂର ଏକ ଚମତ୍କାର | ଏହା ସାଧାରଣତ air ବୃହତ ବାୟୁ ପୃଥକ ୟୁନିଟ୍ (ASU) ରେ କ୍ରାୟୋଜେନିକ୍ ଭଗ୍ନାଂଶ ଡିଷ୍ଟିଲେସନ୍ ବ୍ୟବହାର କରି ବାୟୁରୁ ବାହାର କରାଯାଇଥାଏ | ତଥାପି, ଗ୍ୟାସ ଉତ୍ପାଦନ କେବଳ ଯୁଦ୍ଧର ଅଧା ଅଟେ; ଶୁଦ୍ଧତା ହରାଇ ଏହାକୁ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣରେ ପହଞ୍ଚାଇବା ମଧ୍ୟ ସମାନ ଆହ୍ .ାନ ଅଟେ |

ଗମନାଗମନ ସମୟରେ ପ୍ରଦୂଷଣ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ |

ପ୍ରତ୍ୟେକ ଭଲଭ୍, ପାଇପ୍, ଏବଂ ଷ୍ଟୋରେଜ୍ ଟ୍ୟାଙ୍କ ଯାହା ସ୍ପର୍ଶ କରେ | ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ଶୁଦ୍ଧତା ତରଳ ଆର୍ଗନ୍ | ସ୍ elect ତନ୍ତ୍ର ଭାବରେ ବିଦ୍ୟୁତକରଣ ଏବଂ ପୂର୍ବ-ଶୁଦ୍ଧ ହେବା ଜରୁରୀ | ଯଦି ଏକ ପରିବହନ ଟ୍ୟାଙ୍କରରେ ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପିକ୍ ଲିକ୍ ଥାଏ, ବାୟୁମଣ୍ଡଳୀୟ ଚାପ କେବଳ ଆର୍ଗୋନ୍କୁ ଛାଡିବ ନାହିଁ; କ୍ରାୟୋଜେନିକ୍ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରକୃତରେ ବାୟୁମଣ୍ଡଳୀୟ ଅପରିଷ୍କାରତା ଆଙ୍କିପାରେ | ଭିତରେ, ଏକ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ବ୍ୟାଚ୍ ନଷ୍ଟ କରିବା |

ଫାବ୍ ସ୍ତରରେ, ତରଳ ଆର୍ଗନ୍ ବୃହତ ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍-ଇନସୁଲେଡ୍ ବଲ୍କ ଟ୍ୟାଙ୍କରେ ଗଚ୍ଛିତ | ଏହା ପରେ କ୍ଲିନରୁମ୍ ଭିତରକୁ ପ୍ରବେଶ କରିବା ପୂର୍ବରୁ ଏହା ଉଚ୍ଚ ସ୍ specialized ତନ୍ତ୍ର ବାଷ୍ପୀକରଣକାରୀ ଏବଂ ପଏଣ୍ଟ-ବ୍ୟବହାର ଗ୍ୟାସ୍ ପ୍ୟୁରିଫାୟର୍ ମାଧ୍ୟମରେ ପାସ୍ ହୁଏ |

ନିରନ୍ତର, ନିରବଚ୍ଛିନ୍ନ ଉତ୍ପାଦନ ବଜାୟ ରଖିବା ପାଇଁ, ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ନିର୍ମାତାମାନେ ନିଶ୍ଚିତ ଭାବରେ ଶୀର୍ଷ ସ୍ତରର ଗ୍ୟାସ୍ ଯୋଗାଣକାରୀଙ୍କ ସହ ଅଂଶୀଦାର ହେବା ଆବଶ୍ୟକ, ଯେଉଁମାନେ ଏହି କଠୋର ଯୋଗାଣ ଶୃଙ୍ଖଳାକୁ ଆୟତ୍ତ କରିଛନ୍ତି | ଅତ୍ୟାଧୁନିକ ସୁବିଧାଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ସୁନିଶ୍ଚିତ ଶୁଦ୍ଧତା ମେଟ୍ରିକ୍ ସହିତ ଏହି ଗୁରୁତ୍ material ପୂର୍ଣ୍ଣ ସାମଗ୍ରୀର ନିରନ୍ତର, ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଯୋଗାଣକୁ ସୁରକ୍ଷିତ ରଖିବାକୁ ଚାହୁଁଥିବା, ବିଶ୍ୱସ୍ତ ପ୍ରଦାନକାରୀଙ୍କ ଠାରୁ ବିଶେଷ ଶିଳ୍ପ ଗ୍ୟାସ୍ ସମାଧାନ ଅନୁସନ୍ଧାନ | ହୁଆଜୋଙ୍ଗ ଗ୍ୟାସ୍ | ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ସଠିକ୍ ମାନଦଣ୍ଡ ପୂରଣ ହୋଇଛି ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ଡାଉନଟାଇମ୍ ଦୂର ହୋଇଛି |

6। ଅର୍ଥନ and ତିକ ଏବଂ ପରିବେଶ ବିଚାର |

ଏକ ଆଧୁନିକ ଗିଗାଫାବ୍ ଦ୍ୱାରା ଖାଉଥିବା ଆର୍ଗନ୍ ର ପରିମାଣ ଚମତ୍କାର | ଗୋଟିଏ ବୃହତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ ସୁବିଧା ପ୍ରତିଦିନ ହଜାର ହଜାର କ୍ୟୁବିକ୍ ମିଟର ଅଲ୍ଟ୍ରା-ଶୁଦ୍ଧ ଗ୍ୟାସ୍ ଖାଇପାରେ |

ସ୍ଥିରତା ଏବଂ ପୁନ yc ବ୍ୟବହାର

କାରଣ ଆର୍ଗନ୍ ଏକ ଉତ୍ତମ ଗ୍ୟାସ୍ ଏବଂ ଅଧିକାଂଶ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ରାସାୟନିକ ଭାବରେ ଖର୍ଚ୍ଚ ହୁଏ ନାହିଁ (ଏହା ପ୍ରାୟତ a ଏକ ଶାରୀରିକ ield ାଲ କିମ୍ବା ପ୍ଲାଜମା ମାଧ୍ୟମ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରେ), ଆର୍ଗନ୍ ପୁନରୁଦ୍ଧାର ଏବଂ ପୁନ yc ବ୍ୟବହାର ପ୍ରଣାଳୀ ପାଇଁ ଶିଳ୍ପ ମଧ୍ୟରେ ଏକ ବୃଦ୍ଧି ଘଟୁଛି | ଉନ୍ନତ ଫ୍ୟାବସ୍ ଅନସାଇଟ୍ ପୁନରୁଦ୍ଧାର ୟୁନିଟ୍ ସଂସ୍ଥାପନ କରୁଛନ୍ତି ଯାହା ସ୍ଫଟିକ୍ ଟାଣିବା ଚୁଲା ଏବଂ ସ୍ପୁଟର୍ ଚାମ୍ବରରୁ ଆର୍ଗନ୍ ନିଷ୍କାସନକୁ କାବୁ କରିଥାଏ | ଏହି ଗ୍ୟାସ ପରେ ସ୍ଥାନୀୟ ଭାବରେ ପୁନ pur ଶୁଦ୍ଧ କରାଯାଏ | ଏହା କେବଳ ଫ୍ୟାବ୍ର ଅପରେଟିଂ ଖର୍ଚ୍ଚକୁ ଯଥେଷ୍ଟ ମାତ୍ରାରେ ହ୍ରାସ କରେ ନାହିଁ, ବରଂ ଏହା ଲିକ୍ୟୁଇଙ୍ଗ୍ ଏବଂ ସତେଜ ଆର୍ଗୋନକୁ ଦୀର୍ଘ ଦୂରତାରେ ପରିବହନ ସହିତ ଜଡିତ କାର୍ବନ ଫୁଟ୍ ପ୍ରିଣ୍ଟକୁ ମଧ୍ୟ ହ୍ରାସ କରିଥାଏ |

ଆଡଭାନ୍ସଡ୍ ନୋଡ୍ ଉତ୍ପାଦନରେ ଆର୍ଗନ୍ ର ଭବିଷ୍ୟତ |

ଯେହେତୁ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଇଣ୍ଡଷ୍ଟ୍ରି 2nm, 14A (angstrom) ଆଡକୁ ଗତି କରେ, ଏବଂ ତା’ଠାରୁ ଅଧିକ, ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟରର ସ୍ଥାପତ୍ୟ ପରିବର୍ତ୍ତନ ହେଉଛି | ଆମେ FinFET ରୁ ଗେଟ୍-ଅଲ୍-ଆରାଉଣ୍ଡ୍ (GAA) କୁ ଯାଉଛୁ ଏବଂ ଶେଷରେ ସପ୍ଲିମେଣ୍ଟାରୀ FET (CFET) ଡିଜାଇନ୍କୁ ଯାଉଛୁ |

ଏହି 3D ସଂରଚନାଗୁଡ଼ିକରେ ପରମାଣୁ ସ୍ତର ସଂରକ୍ଷଣ (ALD) ଏବଂ ପରମାଣୁ ସ୍ତର ଇଚିଂ (ALE) ଆବଶ୍ୟକ - ପ୍ରୋସେସ୍ ଯାହା ସିଲିକନ୍ କୁ ଏକ ସମୟରେ ଗୋଟିଏ ପରମାଣୁକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିଥାଏ | ALD ଏବଂ ALE ରେ, ଆର୍ଗନ୍ ର ସଠିକ୍ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଡାଲିଗୁଡିକ ରାସାୟନିକ ମାତ୍ରା ମଧ୍ୟରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରକୋଷ୍ଠକୁ ଶୁଦ୍ଧ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ, ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାଗୁଡ଼ିକ ଠିକ୍ ସେହିଠାରେ ହିଁ ପରମାଣୁ ପୃଷ୍ଠରେ ଉଦ୍ଦିଷ୍ଟ |

ସଠିକତା ବ increases ିବା ସହିତ ନିର୍ଭରଶୀଳତା | ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ତରଳ ଆର୍ଗନ୍ | କେବଳ ତୀବ୍ର ହେବ | ଶୁଦ୍ଧତା ଆବଶ୍ୟକତା ବର୍ତ୍ତମାନର 6N ମାନକକୁ ମଧ୍ୟ ଅତିକ୍ରମ କରିପାରେ, 7N (99.99999%) କିମ୍ବା ତା’ଠାରୁ ଅଧିକ, ଗ୍ୟାସ୍ ବିଶୋଧନ ଏବଂ ମେଟ୍ରୋଲୋଜି ଟେକ୍ନୋଲୋଜିରେ ଅଧିକ ନୂତନତ୍ୱ ସୃଷ୍ଟି କରିଥାଏ |

ସିଦ୍ଧାନ୍ତ

ସମାପ୍ତ ମାଇକ୍ରୋପ୍ରୋସେସରରେ ଆଶ୍ଚର୍ଯ୍ୟ ହେବା ସହଜ - ଏକ ସିଲିକନ୍ ଖଣ୍ଡ ଯାହା କୋଟି କୋଟି ମାଇକ୍ରୋସ୍କୋପିକ୍ ସୁଇଚ୍ ଧାରଣ କରେ ଯାହା ପ୍ରତି ସେକେଣ୍ଡରେ ଟ୍ରିଲିୟନ୍ ଗଣନା କରିବାରେ ସକ୍ଷମ | ତଥାପି, ମାନବ ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂର ଏହି ଶିଖର ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ରୂପେ ଅଦୃଶ୍ୟ ଉପାଦାନ ଉପରେ ନିର୍ଭରଶୀଳ |

ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ଶୁଦ୍ଧତା ତରଳ ଆର୍ଗନ୍ | କେବଳ ଏକ ଦ୍ରବ୍ୟ ନୁହେଁ; ଏହା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପର ଏକ ମୂଳ ସ୍ତମ୍ଭ ଅଟେ | ସିଲିକନ୍ ସ୍ଫଟିକଗୁଡିକର ତରଳ ଜନ୍ମକୁ ରକ୍ଷା କରିବା ଠାରୁ ଆରମ୍ଭ କରି ନାନୋମିଟର-ସ୍କେଲ୍ ସର୍କିଟ୍ ଖୋଳୁଥିବା ପ୍ଲାଜମାକୁ ସକ୍ଷମ କରିବା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ, ଆର୍ଗନ୍ ମୋର୍ଙ୍କ ନିୟମକୁ ଜୀବନ୍ତ ରଖିବା ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ପରିବେଶକୁ ଗ୍ୟାରେଣ୍ଟି ଦେଇଥାଏ | ର ସୀମା ଭାବରେ | ତରଳ ଆର୍ଗନ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ | AI, କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ ଗଣନା, ଏବଂ ଉନ୍ନତ ଶକ୍ତି ପରିଚାଳନାକୁ ସମର୍ଥନ କରିବାକୁ ବିସ୍ତାର କରନ୍ତୁ, ଏହି ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ଶୁଦ୍ଧ, ନିଷ୍କ୍ରିୟ ତରଳର ଚାହିଦା ବିଶ୍ୱ ବ techn ଷୟିକ ପ୍ରଗତି ପଛରେ ଏକ ଚାଳକ ଶକ୍ତି ଭାବରେ ରହିବ |

ପ୍ରଶ୍ନଗୁଡିକ

ପ୍ର: ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ କିମ୍ବା ହିଲିୟମ୍ ପରି ଅନ୍ୟ ନିଷ୍କ୍ରିୟ ଗ୍ୟାସ୍ ଅପେକ୍ଷା ତରଳ ଆର୍ଗନ୍ କାହିଁକି ପସନ୍ଦ କରାଯାଏ?

ଉ: ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ ଶସ୍ତା ଏବଂ ସାଧାରଣ ଶୁଦ୍ଧ ଗ୍ୟାସ୍ ଭାବରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଥିବାବେଳେ ଏହା ଅତ୍ୟଧିକ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ପ୍ରକୃତରେ ନିଷ୍କ୍ରିୟ ନୁହେଁ; ଏହା ତରଳ ସିଲିକନ୍ ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରି ସିଲିକନ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ତ୍ରୁଟି ସୃଷ୍ଟି କରେ | ହିଲିୟମ୍ ନିଷ୍କ୍ରିୟ କିନ୍ତୁ ବହୁତ ହାଲୁକା ଏବଂ ମହଙ୍ଗା | ଆର୍ଗନ୍ “ମିଠା ସ୍ପଟ୍” କୁ ହିଟ୍ କରେ - ଏହା ଅତ୍ୟଧିକ ତାପମାତ୍ରାରେ ମଧ୍ୟ ସଂପୂର୍ଣ୍ଣ ନିଷ୍କ୍ରିୟ, ତରଳ ସିଲିକନ୍ କୁ କମ୍ବଳ କରିବା ପାଇଁ ଯଥେଷ୍ଟ ଭାରୀ, ଏବଂ ଅବାଞ୍ଛିତ ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସୃଷ୍ଟି ନକରି ପ୍ଲାଜମା ସ୍ପୁଟର୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ ପରମାଣୁକୁ ଶାରୀରିକ ଭାବରେ ବିଚ୍ଛିନ୍ନ କରିବା ପାଇଁ ପରମାଣୁ ଭରପୂର ଅଟେ |

Q2: ଅଲଟ୍ରା-ହାଇ ଶୁଦ୍ଧତା ତରଳ ଆର୍ଗନ୍ କିପରି ପ୍ରଦୂଷଣ ବିନା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫ୍ୟାକେସନ୍ ପ୍ଲାଣ୍ଟ (ଫ୍ୟାବ୍) କୁ ପରିବହନ କରାଯାଏ?

ଉ: ଗମନାଗମନ ସମୟରେ ଶୁଦ୍ଧତା ବଜାୟ ରଖିବା ଏକ ପ୍ରମୁଖ ଲଜିଷ୍ଟିକ୍ ଚ୍ୟାଲେଞ୍ଜ | UHP ଲିକ୍ୱିଡ୍ ଆର୍ଗନ୍ ବିଶେଷଜ୍ଞ, ଅତ୍ୟଧିକ ଇନସୁଲେଟେଡ୍ କ୍ରାୟୋଜେନିକ୍ ଟ୍ୟାଙ୍କର୍ ଟ୍ରକ୍ରେ ପରିବହନ କରାଯାଏ | ଏହି ଟ୍ୟାଙ୍କଗୁଡିକର ଭିତର ପୃଷ୍ଠଗୁଡିକ, ଏବଂ ସମସ୍ତ ଭଲଭ୍ ଏବଂ ଟ୍ରାନ୍ସଫର ହୋସ୍, ଏକ ଦର୍ପଣ ଫିନିଶ୍ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ବିଦ୍ୟୁତକରଣ ହୋଇ ବାହାରକୁ ଯିବା ଏବଂ କଣିକା shed ାଳିବା ରୋକିବା ପାଇଁ | ଲୋଡ୍ କରିବା ପୂର୍ବରୁ, ସମଗ୍ର ସିଷ୍ଟମ୍ କଠୋର ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଶୁଦ୍ଧତା ଦେଇଥାଏ | ଫାବରେ ପହଞ୍ଚିବା ପରେ, ଗ୍ୟାସ୍ ପଏଣ୍ଟ-ଅଫ୍-ୟୁଜର୍ ପ୍ୟୁରିଫାୟର୍ସ ଦେଇ ଯାଇଥାଏ ଯାହା ରାସାୟନିକ ଗେଟର୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବ୍ୟବହାର କରି ଆର୍ଗନ୍ ୱେଫର୍ରେ ପହଞ୍ଚିବା ପୂର୍ବରୁ ଯେକ any ଣସି ବିପଥଗାମୀ ppt- ସ୍ତର (ଟ୍ରିଲିୟନ୍ ପ୍ରତି ଅଂଶ) ଅପରିଷ୍କାରତାକୁ ଛଡ଼ାଇ ନେଇଥାଏ |

Q3: “ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ତରଳ ଆର୍ଗନ୍” ପାଇଁ କେଉଁ ସଠିକ ଶୁଦ୍ଧତା ସ୍ତର ଆବଶ୍ୟକ, ଏବଂ ଏହା କିପରି ମାପ କରାଯାଏ?

ଉ: ଉନ୍ନତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ, ଆର୍ଗନ୍ ଶୁଦ୍ଧତା ସାଧାରଣତ at ଅତି କମରେ “6N” (99.9999% ଶୁଦ୍ଧ) ହେବା ଆବଶ୍ୟକ, ଯଦିଓ କିଛି ଅତ୍ୟାଧୁନିକ ପ୍ରକ୍ରିୟା 7N ଆବଶ୍ୟକ କରେ | ଏହାର ଅର୍ଥ ଅମ୍ଳଜାନ, ଆର୍ଦ୍ରତା, ଏବଂ ହାଇଡ୍ରୋକାର୍ବନ୍ ପରି ଅପରିଷ୍କାରତା ପ୍ରତି ମିଲିୟନ୍ (ପିପିଏମ୍) କିମ୍ବା ପ୍ରତି ବିଲିୟନ ଅଂଶ (ppb) ରେ ସୀମିତ | ଏହି ମାଇନସ୍ସ୍କୁଲ୍ ଅପରିଷ୍କାର ସ୍ତରଗୁଡିକ ରିଅଲ୍-ଟାଇମ୍ରେ ଅତ୍ୟଧିକ ସମ୍ବେଦନଶୀଳ ଆନାଲିଟିକାଲ୍ ଉପକରଣ ବ୍ୟବହାର କରି ମାପ କରାଯାଏ, ଯେପରିକି କ୍ୟାଭିଟି ରିଙ୍ଗ-ଡାଉନ୍ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରସ୍କୋପି (CRDS) ଏବଂ ମାସ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରୋମେଟ୍ରି ସହିତ ଗ୍ୟାସ୍ କ୍ରୋମାଟୋଗ୍ରାଫି (GC-MS), ନିରନ୍ତର ଗୁଣାତ୍ମକ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ |